芯片——激光二极管
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SemiNex 的激光二极管是寻求激光开发和客户应用最先进性能的客户的绝佳选择。这些激光芯片提供 12xx 至 19xx 的 InP 波长范围，并具有各种功率、腔体配置和波长配置。 SemiNex 可以将其任何激光芯片安装在 SemiNex 标准封装中，或者 SemiNex 将与客户合作开发 SemiNex 芯片的定制封装应用程序包括 OEM 医疗、消费医疗、激光雷达、军事瞄准、测距和照明。可根据要求提供定制波长和配置。
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波长：1450 纳米
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孔径：95 um
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模式：多模式
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结点：单根
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腔长：2500 µm
| 象征 | 价值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| 光学的 | |||
| 波长 | λc | nm(+/-20) | |
| 输出功率（CW） | Po | watts | |
| 光谱宽度 | Δλ | nm 3dB | |
| 腔长 | CL | μm | |
| 结型 | |||
| 发射极高度 | H | μm | |
| 温度系数 | Δλ/ΔλT | nm/C | |
| 斜率效率 | ηo | W/A | |
| 慢轴分度 | θ_parallel | deg FWHM | |
| 快速轴分度 | θ_perp | deg FWHM | |
| 发射器数量 | |||
| 脉宽 | PW | ns | |
| 占空比 | DC | % |
| 象征 | 价值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| 电的 | |||
| 功率转换效果 | η | Min | |
| 工作电流 | Iop | A | |
| 工作电压 | Vop | V | |
| 串联电阻 | Rs | ohm | |
| 光电二极管电流 | Im | mA |
| 象征 | 价值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| 机械的 | ||||
| 铅焊接温度 | °C | |||
| 重量 | g | |||
| 工作温度 | °C |
| 其他 | |
|---|---|
| 规格说明 |
SemiNex在12xx至19xx nm的红外波长下提供最高的可用功率。必要时，我们将进一步优化InP激光芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管，条和封装经过测试，可以满足客户和市场的性能要求。显示了典型的结果和包装选项。请联系SemiNex了解更多详细信息或讨论您的特定要求。点击这里查看产品信息表
应用领域
特征
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