陶瓷载体上的 SemiNex 芯片

	象征	价值	价值	单位
光学的		脉宽 150ns	脉宽 <10ns
波长	λc	1560	1560	nm(+/-20)
输出功率脉冲	Po	14	30	watts
光谱宽度	Δλ	15	15	nm 3dB
腔长	CL	2500	2500	μm
结型		单结	单结
发射极高度	H	1	1	μm
温度系数	Δλ/ΔλT	0.55	0.55	nm/C
斜率效率	ηo	0.3	0.3	W/A
慢轴分度	θ_parallel	10	10	deg FWHM
快速轴分度	θ_perp	30	30	deg FWHM
发射器数量		1	1
脉宽	PW	150	150	ns
占空比	DC	0.1	0.1	%

	象征	价值	价值	单位
电的		脉宽 150ns	脉宽 <10ns
功率转换效果	η	4	4	Min
工作电流	Iop	50	100	A
工作电压	Vop	7	7	V
串联电阻	Rs	0.12	0.12	ohm
光电二极管电流	Im	0	0	mA

	象征	价值	价值	单位
机械的		脉宽 150ns	脉宽 <10ns
铅焊接温度		250	250	°C
重量		0.05	0.05	g
工作温度		-40至60	-40至60	°C

其他
规格说明	额定值是在20oC的恒定散热器温度下额定的。