芯片——SOA
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SemiNex 的激光二极管是寻求激光开发和客户应用最先进性能的客户的绝佳选择。这些激光芯片提供 12xx 至 19xx 的 InP 波长范围，并具有各种功率、腔体配置和波长配置。 SemiNex 可以将其任何激光芯片安装在 SemiNex 标准封装中，或者 SemiNex 将与客户合作开发 SemiNex 芯片的定制封装应用程序包括 OEM 医疗、消费医疗、激光雷达、军事瞄准、测距和照明。可根据要求提供定制波长和配置。
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波长：1310纳米
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孔径：4 um
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模式：单模式
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结点：单根
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腔长：2500 µm
| 象征 | 价值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| 光学的 | |||
| 波长 | λc | nm(+/-20) | |
| 输出功率（CW） | Po | watts | |
| 光谱宽度 | Δλ | nm 3dB | |
| 腔长 | CL | μm | |
| 结型 | |||
| 发射极高度 | H | μm | |
| 斜率效率 | ηo | W/A | |
| 慢轴分度 | θ_parallel | deg FWHM | |
| 快速轴分度 | θ_perp | deg FWHM | |
| 发射器数量 | |||
| 脉宽 | PW | ns | |
| 占空比 | DC | % |
| 象征 | 价值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| 电的 | |||
| 功率转换效果 | η | Min | |
| 工作电流 | Iop | A | |
| 工作电压 | Vop | V | |
| 串联电阻 | Rs | ohm |
| 象征 | 价值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| 机械的 | ||||
| 重量 | g | |||
| 工作温度 | °C |
| 其他 | |
|---|---|
| 规格说明 |
SemiNex 提供具有最高增益和可用饱和功率的 SOA
在红外波长。必要时我们会进一步优化设计
我们的 InP SOA 可满足客户特定的光学和电气性能需求。
单波导或阵列经过测试以满足客户和市场的性能需求。
显示了典型的结果和封装选项。
如需更多详细信息或性能要求，请联系 SemiNex。点击这里查看产品信息表
应用领域
特征
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