带有 2.5mm SemiNex 芯片的载体上芯片

	象征	价值	价值	单位
光学的		脉宽 150ns	脉宽 <10ns
波长	λc	1550	1550	nm(+/-20)
输出功率脉冲	Po	30	30	watts
光谱宽度	Δλ	22	22	nm 3dB
腔长	CL	2500	2500	μm
结型		单结	单结
发射极高度	H	1	1	μm
温度系数	Δλ/ΔλT	0.55	0.55	nm/C
斜率效率	ηo	0.6	0.6	W/A
慢轴分度	θ_parallel	14	14	deg FWHM
快速轴分度	θ_perp	28	28	deg FWHM
发射器数量		1	1
脉宽	PW	150	150	ns
占空比	DC	0.1	0.1	%

	象征	价值	价值	单位
电的		脉宽 150ns	脉宽 <10ns
功率转换效果	η	30	30	Min
工作电流	Iop	100	100	A
工作电压	Vop	5	5	V
光电二极管电流	Im	1.25	1.25	mA

	象征	价值	价值	单位
机械的		脉宽 150ns	脉宽 <10ns
铅焊接温度		250	250	°C
重量		0.05	0.05	g
工作温度		-40至60	-40至60	°C

其他
规格说明	额定值是在20oC的恒定散热器温度下额定的。