具有SemiNex激光二极管的B型安装座
$490.00
SemiNex的B固定式激光二极管是寻求低成本，低成本设计的最新性能的客户的绝佳选择。这些激光器提供的InP波长范围为12xxnm至16xxnm，GaSb波长范围为19xxnm至24xxnm，并具有多种功率，波长和透镜配置。 SemiNex的子激光器的应用包括OEM医疗，消费医疗，LiDAR，军事瞄准，测距和照明。可根据要求提供定制波长和配置。
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波长：1625纳米
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孔径：4 um
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模式：单模式
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结点：单根
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腔长：2500 µm
| 象征 | 价值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| 光学的 | |||
| 波长 | λc | nm(+/-20) | |
| 输出功率（CW） | Po | watts | |
| 光谱宽度 | Δλ | nm 3dB | |
| 腔长 | CL | μm | |
| 结型 | |||
| 发射极高度 | H | μm | |
| 温度系数 | Δλ/ΔλT | nm/C | |
| 斜率效率 | ηo | W/A | |
| 慢轴分度 | θ_parallel | deg FWHM | |
| 快速轴分度 | θ_perp | deg FWHM | |
| 发射器数量 | |||
| 脉宽 | PW | ns | |
| 占空比 | DC | % |
| 象征 | 价值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| 电的 | |||
| 功率转换效果 | η | Min | |
| 工作电流 | Iop | A | |
| 工作电压 | Vop | V | |
| 串联电阻 | Rs | ohm |
| 象征 | 价值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| 机械的 | ||||
| 铅焊接温度 | °C | |||
| 重量 | g | |||
| 工作温度 | °C |
| 其他 | |
|---|---|
| 规格说明 |
SemiNex在12xxnm至16xxnm的红外波长以及19xxnm至24xxnm的红外波长下提供最高的可用功率。必要时，我们将进一步优化InP或GaSb激光芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管，条和封装经过测试，可以满足客户和市场的性能要求。显示了典型的结果和包装选项。请联系SemiNex了解更多详细信息或讨论您的特定要求。点击这里查看产品信息表
应用领域
特征
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