2.5mm SemiNex 칩이 탑재된 칩 온 캐리어
$436.00
SemiNex의 COC(Chip on Carrier) 레이저 다이오드는 저비용 표준 서브마운트 설계에서 고출력 최첨단 성능을 원하는 고객에게 탁월한 선택입니다. 이 레이저는 12xx ~ 19xx의 InP 파장 범위에서 제공되며 CW 및 펄스 작동 모두를 위한 단일 모드 및 다중 모드 장치를 포함한 다양한 구성으로 제공됩니다. SemiNex의 COC 장치에 대한 응용 프로그램에는 OEM 의료, DPSS 펌프 소스, 군사 표적, OTDR, 범위 찾기 및 조명이 포함됩니다. 요청 시 맞춤형 파장 및 구성이 가능합니다.
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파장: 1550nm
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조리개: 350um
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모드: 멀티 모드
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정션: 싱글
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공동 길이: 2500 µm
상징 | 값 | 값 | 단위 | |
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광학 | 펄스 폭 150ns | 펄스 폭 <10ns | ||
파장 | λc | nm(+/-20) | ||
출력 전력 펄스 | Po | watts | ||
스펙트럼 폭 | Δλ | nm 3dB | ||
캐비티 길이 | CL | μm | ||
접합 유형 | ||||
이미터 높이 | H | μm | ||
온도 계수 | Δλ/ΔλT | nm/C | ||
슬로프 효율성 | ηo | W/A | ||
느린 축 사업부 | θ_parallel | deg FWHM | ||
빠른 축 사업부 | θ_perp | deg FWHM | ||
이미터 수 | ||||
펄스 폭 | PW | ns | ||
듀티 사이클 | DC | % |
상징 | 값 | 값 | 단위 | |
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전기 같은 | 펄스 폭 150ns | 펄스 폭 <10ns | ||
전력 변환 효과 | η | Min | ||
작동 전류 | Iop | A | ||
작동 전압 | Vop | V | ||
포토다이오드 전류 | Im | mA |
상징 | 값 | 값 | 단위 | |
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기계 | 펄스 폭 150ns | 펄스 폭 <10ns | ||
납 납땜 온도 | °C | |||
무게 | g | |||
작동 온도 | °C |
다른 | |
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사양 참고 사항 |
SemiNex는 12xx에서 19xx nm 사이의 적외선 파장에서 가장 높은 가용 전력을 제공합니다. 필요한 경우 고객의 특정 광학 및 전기적 성능 요구 사항을 충족하기 위해 InP 레이저 칩의 설계를 더욱 최적화할 것입니다. 다이오드, 바 및 패키지는 고객 및 시장 성능 요구 사항을 충족하도록 테스트되었습니다. 일반적인 결과 및 패키징 옵션이 표시됩니다. 추가 세부 사항이나 특정 요구 사항에 대해 논의하려면 SemiNex에 문의하십시오.제품 정보 시트를 보려면 여기를 클릭하십시오
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