2.5mmSemiNexチップを搭載したChipon Carrier
$436.00
SemiNexのチップオンキャリア（COC）レーザーダイオードは、低コストの標準サブマウント設計で高出力の最先端のパフォーマンスを求めるお客様に最適です。これらのレーザーは、12xx〜19xxのInP波長範囲で提供され、CWおよびパルス動作の両方のシングルモードおよびマルチモードデバイスを含むさまざまな構成で提供されます。 SemiNexのCOCデバイスのアプリケーションには、OEM医療、DPSSポンプソース、軍事ターゲティング、OTDR、距離測定、照明が含まれます。ご要望に応じて、カスタム波長と構成をご利用いただけます。
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波長：1550 nm
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絞り：350 um
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モード：マルチモード
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ジャンクション：トリプル
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キャビティ長：2500 µm
| シンボル | 価値 | 価値 | 単位 | |
|---|---|---|---|---|
| オプティカル | パルス幅150ns | パルス幅 <10ns | ||
| 波長 | λc | nm(+/-20) | ||
| パルス出力パワー | Po | watts | ||
| スペクトル幅 | Δλ | nm 3dB | ||
| キャビティの長さ | CL | μm | ||
| ジャンクションタイプ | ||||
| エミッターの高さ | H | μm | ||
| 温度係数 | Δλ/ΔλT | nm/C | ||
| 斜面効率 | ηo | W/A | ||
| 遅軸Divg。 | θ_parallel | deg FWHM | ||
| 高速軸Divg。 | θ_perp | deg FWHM | ||
| エミッターの数 | ||||
| パルス幅 | PW | ns | ||
| デューティサイクル | DC | % |
| シンボル | 価値 | 価値 | 単位 | |
|---|---|---|---|---|
| 電気 | パルス幅150ns | パルス幅 <10ns | ||
| 電力変換効率 | η | Min | ||
| 動作電流 | Iop | A | ||
| 動作電圧 | Vop | V | ||
| 直列抵抗 | Rs | ohm | ||
| フォトダイオード電流 | Im | mA |
| シンボル | 価値 | 価値 | 単位 | |
|---|---|---|---|---|
| 機械的 | パルス幅150ns | パルス幅 <10ns | ||
| 鉛はんだ付け温度 | °C | |||
| 重さ | g | |||
| 作動温度 | °C |
| 他の | |
|---|---|
| 仕様書 |
SemiNexは、12xx〜19xxnmの赤外線波長で利用可能な最高の電力を提供します。必要に応じて、InPレーザーチップの設計をさらに最適化して、お客様の特定の光学的および電気的性能のニーズに対応します。ダイオード、バー、およびパッケージは、顧客および市場のパフォーマンス要求を満たすようにテストされています。典型的な結果とパッケージオプションが示されています。詳細について、または特定の要件について話し合うには、SemiNexにお問い合わせください。製品情報シートを表示するには、ここをクリックしてください
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