Diode laser emballée TO-56
$322.00
Les diodes laser montées TO56 de SemiNex sont un excellent choix pour les clients qui recherchent des performances de pointe dans une conception de sous-montage à faible coût. Ces lasers sont fournis sur la plage de longueurs d'onde InP de 12xx à 19xx et sont disponibles dans une variété de configurations de puissance, de longueur d'onde, de capuchon et de lentille. Les applications des lasers sous-montés de SemiNex incluent le médical OEM, le médical grand public, le LiDAR, le ciblage militaire, la télémétrie et l'éclairage. Longueurs d'onde et configurations personnalisées disponibles sur demande.
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Longueur d'onde : 1550 nm
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Ouverture : 350 um
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Mode : Mode multiple
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Jonction : Simple
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Longueur de la cavité : 2500 µm
symbole | Valeur | Valeur | Unités | |
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Optique | Largeur d'impulsion 150ns | Largeur d'impulsion <10ns | ||
Longueur d'onde | λc | nm(+/-20) | ||
Puissance de sortie pulsée | Po | watts | ||
Largeur spectrale | Δλ | nm 3dB | ||
Longueur de la cavité | CL | μm | ||
Type de jonction | ||||
Hauteur de l'émetteur | H | μm | ||
Temp. Coefficient | Δλ/ΔλT | nm/C | ||
Efficacité de la pente | ηo | W/A | ||
Divg de l'axe lent. | θ_parallel | deg FWHM | ||
Divg de l'axe rapide. | θ_perp | deg FWHM | ||
Nombre d'émetteurs | ||||
Largeur d'impulsion | PW | ns | ||
Cycle de service | DC | % | ||
Effet de l'objectif Distance focale | f | μm |
symbole | Valeur | Valeur | Unités | |
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Électrique | Largeur d'impulsion 150ns | Largeur d'impulsion <10ns | ||
Conversion de puissance Eff. | η | Min | ||
Courant de fonctionnement | Iop | A | ||
Tension de fonctionnement | Vop | V | ||
Résistance série | Rs | ohm |
symbole | Valeur | Valeur | Unités | |
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Mécanique | Largeur d'impulsion 150ns | Largeur d'impulsion <10ns | ||
Temp de soudure au plomb. | °C | |||
Poids | g | |||
Exploitation temporaire. | °C |
Autre | |
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Notes de spécification | Les valeurs spécifiées sont évaluées à une température de dissipateur thermique constante de 20 °C. |
SemiNex fournit la puissance disponible la plus élevée à des longueurs d'onde infrarouges comprises entre 12xx et 19xx nm. Si nécessaire, nous optimiserons davantage la conception de nos puces laser InP pour répondre aux besoins de performances optiques et électriques spécifiques de nos clients. Les diodes, barres et boîtiers sont testés pour répondre aux exigences de performance des clients et du marché. Les résultats typiques et les options d'emballage sont affichés. Contactez SemiNex pour plus de détails ou pour discuter de vos besoins spécifiques.Cliquez ici pour voir la fiche produit
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