Barre de diode laser à 19 émetteurs
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Les barres laser multimodes haute puissance de SemiNex sont disponibles à des longueurs d'onde standard dans la région de 12xx à 19xx nm. Les barres de production ont une longueur de cavité de 2,5 ou 1,5 mm avec 19 émetteurs et un pas de 500 um. Ces barres laser InP haute puissance fonctionnent mieux lorsqu'elles sont correctement montées à l'aide de soudure à l'indium.
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Longueur d'onde : 1310 nm
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Ouverture : 95 um
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Mode : Mode multiple
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Jonction : Simple
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Longueur de la cavité : 2500 µm
symbole | Valeur | Unités | |
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Optique | |||
Longueur d'onde | λc | nm(+/-20) | |
Puissance de sortie (CW) | Po | watts | |
Largeur spectrale | Δλ | nm 3dB | |
Longueur de la cavité | CL | μm | |
Type de jonction | |||
Efficacité de la pente | ηo | W/A | |
Divg de l'axe lent. | θ_parallel | deg FWHM | |
Divg de l'axe rapide. | θ_perp | deg FWHM | |
Nombre d'émetteurs | |||
Largeur d'impulsion | PW | ns | |
Cycle de service | DC | % |
symbole | Valeur | Unités | |
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Électrique | |||
Conversion de puissance Eff. | η | Min | |
Courant de fonctionnement | Iop | A | |
Tension de fonctionnement | Vop | V |
symbole | Valeur | Unités | ||
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Mécanique | ||||
Poids | g |
SemiNex fournit la puissance disponible la plus élevée à des longueurs d'onde infrarouges comprises entre 12xx et 19xx nm. Si nécessaire, nous optimiserons davantage la conception de nos puces laser InP pour répondre aux besoins de performances optiques et électriques spécifiques de nos clients. Les diodes, barres et boîtiers sont testés pour répondre aux exigences de performance des clients et du marché. Les résultats typiques et les options d'emballage sont affichés. Contactez SemiNex pour plus de détails ou pour discuter de vos besoins spécifiques.Cliquez ici pour voir la fiche produit
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