Diodo láser monomodo de mariposa DFB de 14 pines
$3,339.00
Los láseres empaquetados en mariposa de 14 pines de SemiNex se ofrecen en el rango de longitud de onda de 12xx a 19xx nm. Están diseñados para satisfacer las necesidades de los fabricantes de equipos de prueba de telecomunicaciones y comunicaciones de datos que buscan la potencia óptica más alta en aplicaciones de equipos de prueba y OTDR. También tienen utilidad en LiDAR y otras áreas donde se necesitan fuentes monomodo acopladas por fibra de alta potencia. Paquetes y longitudes de onda personalizados están disponibles a pedido.
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Longitud de onda: 1310 nm
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Apertura: 8um
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Modo: modo único
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Cruce: Soltero
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TEC
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Termistor
| Símbolo | Valor | Unidades | |
|---|---|---|---|
| Óptico | |||
| Longitud de onda | λc | nm(+/-20) | |
| Potencia de salida (CW) | Po | watts | |
| Ancho espectral | Δλ | nm 3dB | |
| Longitud de la cavidad | CL | μm | |
| Tipo de empalme | |||
| Altura del emisor | H | μm | |
| Temperatura. Coeficiente | Δλ/ΔλT | nm/C | |
| Eficiencia de pendiente | ηo | W/A | |
| División de Eje Lento. | θ_parallel | deg FWHM | |
| División Eje Rápido. | θ_perp | deg FWHM | |
| Numero de emisores | |||
| Ancho de pulso | PW | ns | |
| Ciclo de trabajo | DC | % |
| Símbolo | Valor | Unidades | |
|---|---|---|---|
| Eléctrico | |||
| Conversión de energía Eff. | η | Min | |
| Corriente de funcionamiento | Iop | A | |
| Tensión de funcionamiento | Vop | V | |
| Resistencia en serie | Rs | ohm | |
| Termistor - Resistencia | R | K omh +/-5% |
| Símbolo | Valor | Unidades | ||
|---|---|---|---|---|
| Mecánico | ||||
| Longitud de la fibra | Meters | |||
| Conector | ||||
| Temp de soldadura de plomo. | °C | |||
| Peso | g | |||
| Temp. De funcionamiento | °C |
| Símbolo | Valor | Unidades | |
|---|---|---|---|
| Misceláneos de motores láser | |||
| Divergencia del eje LE X | θ_X | deg FWHM | |
| Divergencia del eje LE Y | θ_Y | deg FWHM |
| Otro | |
|---|---|
| Notas de especificación |
SemiNex ofrece la potencia más alta disponible en longitudes de onda infrarrojas entre 12xx y 19xx nm. Cuando sea necesario, optimizaremos aún más el diseño de nuestros chips láser InP para satisfacer las necesidades específicas de rendimiento óptico y eléctrico de nuestros clientes. Los diodos, barras y paquetes se prueban para satisfacer las demandas de rendimiento del mercado y de los clientes. Se muestran los resultados típicos y las opciones de empaque. Comuníquese con SemiNex para obtener detalles adicionales o para discutir sus requisitos específicos.Haga clic aquí para ver la hoja de información del producto
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