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Longitud de onda: 1310 nm
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Apertura: 4 um
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Modo: modo único
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Cruce: Soltero
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Longitud de la cavidad: 2500 µm
| Símbolo | Valor | Unidades | |
|---|---|---|---|
| Óptico | |||
| Longitud de onda | λc | nm(+/-20) | |
| Potencia de salida (CW) | Po | watts | |
| Ancho espectral | Δλ | nm 3dB | |
| Longitud de la cavidad | CL | μm | |
| Tipo de empalme | |||
| Altura del emisor | H | μm | |
| Eficiencia de pendiente | ηo | W/A | |
| División de Eje Lento. | θ_parallel | deg FWHM | |
| División Eje Rápido. | θ_perp | deg FWHM | |
| Numero de emisores | |||
| Ancho de pulso | PW | ns | |
| Ciclo de trabajo | DC | % |
| Símbolo | Valor | Unidades | |
|---|---|---|---|
| Eléctrico | |||
| Conversión de energía Eff. | η | Min | |
| Corriente de funcionamiento | Iop | A | |
| Tensión de funcionamiento | Vop | V | |
| Resistencia en serie | Rs | ohm |
| Símbolo | Valor | Unidades | ||
|---|---|---|---|---|
| Mecánico | ||||
| Peso | g | |||
| Temp. De funcionamiento | °C |
| Otro | |
|---|---|
| Notas de especificación | Reflectividad de la faceta frontal: <0.1% Reflectividad de la faceta trasera: <0.1% |
SemiNex ofrece SOA con la mayor ganancia y potencia de saturación disponible
en longitudes de onda infrarrojas. Cuando sea necesario, optimizaremos aún más el diseño de
nuestro InP SOA para satisfacer las necesidades específicas de rendimiento óptico y eléctrico de nuestros clientes.
Se prueban matrices o guías de ondas individuales para satisfacer las demandas de rendimiento del mercado y del cliente.
Se muestran los resultados típicos y las opciones de empaque.
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