Chip auf Träger mit 2.5mm SemiNex Chip
$436.00
Die Chip-on-Träger-(COC)-Laserdioden von SemiNex sind eine ausgezeichnete Wahl für Kunden, die hochmoderne Hochleistungsleistung in einem kostengünstigen Standard-Submount-Design suchen. Diese Laser werden für den InP-Wellenlängenbereich von 12xx bis 19xx bereitgestellt und sind in einer Vielzahl von Konfigurationen erhältlich, darunter Singlemode- und Multimode-Geräte für CW- und Pulsbetrieb. Zu den Anwendungen für die COC-Geräte von SemiNex gehören OEM-Medizinprodukte, DPSS-Pumpquellen, militärische Zielerfassung, OTDR, Entfernungsmessung und Beleuchtung. Kundenspezifische Wellenlängen und Konfigurationen auf Anfrage erhältlich.
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Wellenlänge: 1550 nm
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Blende: 350 um
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Modus: Multi-Modus
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Kreuzung: Single
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Hohlraumlänge: 2500 µm
| Symbol | Wert | Wert | Einheiten | |
|---|---|---|---|---|
| Optisch | Impulsbreite 150 ns | Impulsbreite <10ns | ||
| Wellenlänge | λc | nm(+/-20) | ||
| Ausgangsleistung gepulst | Po | watts | ||
| Spektrale Breite | Δλ | nm 3dB | ||
| Hohlraumlänge | CL | μm | ||
| Verbindungstyp | ||||
| Emitterhöhe | H | μm | ||
| Temperatur Koeffizient | Δλ/ΔλT | nm/C | ||
| Steigungseffizienz | ηo | W/A | ||
| Slow Axis Divg. | θ_parallel | deg FWHM | ||
| Fast Axis Divg. | θ_perp | deg FWHM | ||
| Anzahl der Strahler | ||||
| Impulsbreite | PW | ns | ||
| Auslastungsgrad | DC | % |
| Symbol | Wert | Wert | Einheiten | |
|---|---|---|---|---|
| Elektrisch | Impulsbreite 150 ns | Impulsbreite <10ns | ||
| Leistungsumwandlung Eff. | η | Min | ||
| Betriebsstrom | Iop | A | ||
| Betriebsspannung | Vop | V | ||
| Fotodiodenstrom | Im | mA |
| Symbol | Wert | Wert | Einheiten | |
|---|---|---|---|---|
| Mechanisch | Impulsbreite 150 ns | Impulsbreite <10ns | ||
| Bleilöttemp. | °C | |||
| Gewicht | g | |||
| Betriebstemperatur. | °C |
| Sonstiges | |
|---|---|
| Spezifikationshinweise | Die angegebenen Werte gelten für eine konstante Kühlkörpertemperatur von 20 °C. |
SemiNex liefert die höchste verfügbare Leistung bei Infrarotwellenlängen zwischen 12xx und 19xx nm. Bei Bedarf werden wir das Design unserer InP-Laserchips weiter optimieren, um die spezifischen optischen und elektrischen Leistungsanforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Dioden, Stäbe und Gehäuse werden getestet, um die Leistungsanforderungen der Kunden und des Marktes zu erfüllen. Typische Ergebnisse und Verpackungsoptionen werden gezeigt. Kontaktieren Sie SemiNex für weitere Details oder um Ihre spezifischen Anforderungen zu besprechen.Klicken Sie hier, um das Produktinformationsblatt anzuzeigen
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