Fasergekoppelte Laserdiode mit 4 Chipmodulen
$3,350.00
Das 4CM fasergekoppelte Lasermodul von SemiNex verfügt über 3 oder 4 Laserchips, die optisch zu einer 400/440um / 0,22 NA-Faser kombiniert sind. Das Design wird im Wellenlängenbereich von 12xx bis 19xx nm angeboten. Andere Wellenlängen sind auf Anfrage erhältlich. Dieses effiziente, kostengünstige Paket wurde entwickelt, um die Anforderungen professioneller medizinischer Kunden zu erfüllen, die eine wiederholbare hohe Leistung in einem robusten fasergekoppelten Paket benötigen. Andere Anwendungen wie DPSS, thermische Verarbeitung und medizinische Anwendungen profitieren von der hohen Leistung.
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Wellenlänge: 1310 nm
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Blende: 400 um
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Modus: Multi-Modus
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Kreuzung: Single
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Zielstrahl
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Fotodiode
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Thermistor
| Symbol | Wert | Einheiten | |
|---|---|---|---|
| Optisch | |||
| Wellenlänge | λc | nm(+/-20) | |
| Ausgangsleistung (CW) | Po | watts | |
| Spektrale Breite | Δλ | nm 3dB | |
| Hohlraumlänge | CL | μm | |
| Verbindungstyp | |||
| Emitterhöhe | H | μm | |
| Temperatur Koeffizient | Δλ/ΔλT | nm/C | |
| Steigungseffizienz | ηo | W/A | |
| Slow Axis Divg. | θ_parallel | deg FWHM | |
| Fast Axis Divg. | θ_perp | deg FWHM | |
| Anzahl der Strahler | |||
| Impulsbreite | PW | ns | |
| Auslastungsgrad | DC | % |
| Symbol | Wert | Einheiten | |
|---|---|---|---|
| Elektrisch | |||
| Leistungsumwandlung Eff. | η | Min | |
| Betriebsstrom | Iop | A | |
| Betriebsspannung | Vop | V | |
| Serienwiderstand | Rs | ohm | |
| Thermistor - Widerstand | R | K omh +/-5% | |
| Zielstrahl - Strombegrenzung | Imax | mA | |
| Zielstrahl - Ausgangsleistung | Pa | mW | |
| Zielstrahl - Wellenlänge | λa | nm |
| Symbol | Wert | Einheiten | ||
|---|---|---|---|---|
| Mechanisch | ||||
| Faserlänge | Meters | |||
| Verbinder | ||||
| Bleilöttemp. | °C | |||
| Gewicht | g | |||
| Betriebstemperatur. | °C |
| Sonstiges | |
|---|---|
| Spezifikationshinweise | Die angegebenen Werte gelten für eine konstante Kühlkörpertemperatur von 20 °C. |
SemiNex liefert die höchste verfügbare Leistung bei Infrarotwellenlängen zwischen 12xx und 19xx nm. Bei Bedarf werden wir das Design unserer InP-Laserchips weiter optimieren, um die spezifischen optischen und elektrischen Leistungsanforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Dioden, Stäbe und Gehäuse werden getestet, um die Leistungsanforderungen der Kunden und des Marktes zu erfüllen. Typische Ergebnisse und Verpackungsoptionen werden gezeigt. Kontaktieren Sie SemiNex für weitere Details oder um Ihre spezifischen Anforderungen zu besprechen.Klicken Sie hier, um das Produktinformationsblatt anzuzeigen
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