Laser-Engine – Q-Paket
$463.00
Die Laser Engines von SemiNex verfügen über einen leistungsstarken SemiNex-Laserdiodenchip, der in einem praktischen, kostengünstigen Paket montiert ist. Diese Laser werden im Wellenlängenbereich von 14xx nm angeboten, der sich ideal für medizinische und andere Anwendungen eignet, bei denen eine Absorption am Wasserpeak erforderlich ist. Auch andere Wellenlängen wie 15xx sind Standard. Die Laser verfügen über eine eingebaute Linse zur Kolumnierung der schnellen Achse oder eine Linse zur Anpassung an die Divergenz der langsamen und schnellen Achse. Das Q-Design umfasst einen Lüfter für erzwungene Konvektionskühlung und das P-Design verfügt über einen großen Kupferblock zur Wärmeabsorption. Kundenspezifische Wellenlängen und Linsenkonfigurationen sind auf Anfrage erhältlich.
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Wellenlänge: 1450 nm
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Blende: 95 um
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Modus: Multi-Modus
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Kreuzung: Single
Symbol | Wert | Einheiten | |
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Optisch | |||
Wellenlänge | λc | nm(+/-20) | |
Ausgangsleistung (CW) | Po | watts | |
Spektrale Breite | Δλ | nm 3dB | |
Hohlraumlänge | CL | μm | |
Verbindungstyp | |||
Emitterhöhe | H | μm | |
Temperatur Koeffizient | Δλ/ΔλT | nm/C | |
Steigungseffizienz | ηo | W/A | |
Slow Axis Divg. | θ_parallel | deg FWHM | |
Fast Axis Divg. | θ_perp | deg FWHM | |
Anzahl der Strahler | |||
Impulsbreite | PW | ns | |
Auslastungsgrad | DC | % |
Symbol | Wert | Einheiten | |
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Elektrisch | |||
Leistungsumwandlung Eff. | η | Min | |
Betriebsstrom | Iop | A | |
Betriebsspannung | Vop | V | |
Serienwiderstand | Rs | ohm |
Symbol | Wert | Einheiten | ||
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Mechanisch | ||||
Bleilöttemp. | °C | |||
Gewicht | g | |||
Betriebstemperatur. | °C |
Symbol | Wert | Einheiten | |
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Laser Engine Sonstiges | |||
LE X-Achsendivergenz | θ_X | deg FWHM | |
LE Y-Achsendivergenz | θ_Y | deg FWHM | |
LE Ventilator - Luftstrom | CFM | CFM | |
LE Lüfter - Spannung | VDC | VDC |
Sonstiges | |
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Spezifikationshinweise | Die angegebenen Werte gelten für eine konstante Kühlkörpertemperatur von 20 °C. |
SemiNex liefert die höchste verfügbare Leistung bei Infrarotwellenlängen zwischen 12xx und 19xx nm. Bei Bedarf werden wir das Design unserer InP-Laserchips weiter optimieren, um die spezifischen optischen und elektrischen Leistungsanforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Dioden, Stäbe und Gehäuse werden getestet, um die Leistungsanforderungen der Kunden und des Marktes zu erfüllen. Typische Ergebnisse und Verpackungsoptionen werden gezeigt. Kontaktieren Sie SemiNex für weitere Details oder um Ihre spezifischen Anforderungen zu besprechen.Klicken Sie hier, um das Produktinformationsblatt anzuzeigen
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