19 Emitter-Laserdiodenbarren
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Die Hochleistungs-Multimode-Laserbarren von SemiNex sind mit Standardwellenlängen im Bereich von 12xx bis 19xx nm erhältlich. Produktionsstäbe haben eine Kavitätslänge von 2,5 oder 1,5 mm mit 19 Emittern und einem 500 um Pitch. Diese Hochleistungs-InP-Laserbarren funktionieren am besten, wenn sie richtig mit Indium-Lot montiert werden.
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Wellenlänge: 1560 nm
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Blende: 95 um
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Modus: Multi-Modus
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Kreuzung: Single
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Hohlraumlänge: 2500 µm
Symbol | Wert | Einheiten | |
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Optisch | |||
Wellenlänge | λc | nm(+/-20) | |
Ausgangsleistung (CW) | Po | watts | |
Spektrale Breite | Δλ | nm 3dB | |
Hohlraumlänge | CL | μm | |
Verbindungstyp | |||
Emitterhöhe | H | μm | |
Temperatur Koeffizient | Δλ/ΔλT | nm/C | |
Steigungseffizienz | ηo | W/A | |
Slow Axis Divg. | θ_parallel | deg FWHM | |
Fast Axis Divg. | θ_perp | deg FWHM | |
Anzahl der Strahler | |||
Impulsbreite | PW | ns | |
Auslastungsgrad | DC | % |
Symbol | Wert | Einheiten | |
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Elektrisch | |||
Leistungsumwandlung Eff. | η | Min | |
Betriebsstrom | Iop | A | |
Betriebsspannung | Vop | V | |
Serienwiderstand | Rs | ohm | |
Fotodiodenstrom | Im | mA |
Symbol | Wert | Einheiten | ||
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Mechanisch | ||||
Bleilöttemp. | °C | |||
Gewicht | g | |||
Betriebstemperatur. | °C |
Sonstiges | |
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Spezifikationshinweise | Die angegebenen Werte gelten für eine konstante Kühlkörpertemperatur von 20 °C. |
SemiNex liefert die höchste verfügbare Leistung bei Infrarotwellenlängen zwischen 12xx und 19xx nm. Bei Bedarf werden wir das Design unserer InP-Laserchips weiter optimieren, um die spezifischen optischen und elektrischen Leistungsanforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Dioden, Stäbe und Gehäuse werden getestet, um die Leistungsanforderungen der Kunden und des Marktes zu erfüllen. Typische Ergebnisse und Verpackungsoptionen werden gezeigt. Kontaktieren Sie SemiNex für weitere Details oder um Ihre spezifischen Anforderungen zu besprechen.Klicken Sie hier, um das Produktinformationsblatt anzuzeigen
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